0 引言 绝缘栅晶体管IGBT是近年来发展最快而且很有前途的一种复合型器件，并以其综合性能优势在开关电源、UPS、逆变器、变频器、交流伺服系统、DC/DC变换、焊接电源、感应加热装置、家用电器等领域得到了广泛应用。然而，在其使用过程中，发现了不少影响其应用的问题，其中之一就是IGBT的门极驱动与保护。目前国内使用较多的有富士公司生产的EXB系列，三菱公司生产的M579系列，MOTOROLA公司生产的MC33153等驱动电路。这些驱动电路各有特点，均可实现IGBT的驱动与保护，但也有其应用限制，例如：驱动功率低，延迟时间长，保护电路不完善，应用频率限制等。本文，以IXYS公司生产的IGBT驱动芯片IXDN404为基础，介绍了其特性和参数，设计了实际驱动与保护电路，经过实验验证，可满足IGBT的实际驱动和过流及短路时实施慢关断策略的保护要求。 1 IXDN404驱动芯片简介 IXDN404为IXYS公司生产的高速CMOS电平IGBT/MOSFET驱动器，其特性如下： ——高输出峰值电流可达到4A； ——工作电压范围4.5V～25V； ——驱动电容1800pF<15ns； ——低传输延迟时间； ——上升与下降时间匹配； ——输出高阻抗； ——输入电流低； ——每片含有两路驱动； ——输入可为TTL或CMOS电平。 其电路原理图如图1所示，主要电气参数如表1所列。
图1 IXDN404电路原理图 表1 IXDN404主要电气参数 | 符号 [td]参数 [td]测试条件 [td]最小值 [td]典型值 [td]最大值 [td]单位 |
| Vih [td]输入门限电压，逻辑1 [td] [td]3.5 [td] [td] [td]V |
| Vil [td]输入门限电压，逻辑0 [td] [td] [td] [td]0.8 [td]V |
| Voh [td]输出电压，逻辑1 [td] [td]Vcc－0.025 [td] [td] [td]V |
| Vol [td]输出电压，逻辑0 [td] [td] [td] [td]0.025 [td]V |
| Ipeak [td]峰值输出电流 [td]Vcc=18V [td]4 [td] [td] [td]A |
| Idc [td]连续输出电流 [td]Vce=18V [td] [td] [td]1 [td]A |
| tr [td]上升时间 [td]C1=1800pF Vcc=18V [td]11 [td]12 [td]15 [td]ns |
| tf [td]下降时间 [td]C1=1800pF Vcc=18V [td]12 [td]14 [td]17 [td]ns |
| tond [td]上升时间延迟 [td]C1=1800pF Vcc=18V [td]33 [td]34 [td]38 [td]ns |
| toffd [td]下降时间延迟 [td]C1=1800pF Vcc=18V [td]28 [td]30 [td]35 [td]ns |
| Vcc [td]供电电压 [td] [td]4.5 [td]18 [td]25 [td]V |
| Icc [td]供电电流 [td]Vin=＋Vcc [td] [td] [td]10 [td]μA [/tr][/tr][/tr] |
图2 由IXDN404组成的IGBT保护与驱动电路 2.1 正常开通过程 当控制信号为高电平时，快速光耦6N137导通，经过一级反相，输入IXDN404，输出＋15V脉冲，IGBT正常导通。同时，由于光耦输出为反相，V4截止，V5导通，C1由电源充电，C1电压不会超过9V，这是因为IGBT正常导通时Vces不高于3V，二极管D2导通，A点电位箝位在8V，加上电阻R10的压降，C点电位接近9V。Z1截止，V2截止，V1导通，B点电位接近20V；Z2截止，V3截止，D点电位接近B点电位。C1充电时间常数τ1=R9×C1=2.42μs，C1充电到9V的时间为 t1=τ1ln
=1.45μs（1） 2.2 正常关断过程 当控制信号为低电平，光耦输出高电平，反相输出低电平，由于Z3箝位IXDN404输出脉冲为－5V，IGBT正常关断。这时，V4导通，V5截止，C点电位保持在9V；Z1截止，V2截止，V1导通，B点电位接近20V；Z2截止，V3截止，D点电位接近B点电位。 2.3 保护过程 设IGBT已经导通，各点电位如2.1所说。当电路过流时，IGBT因承受大电流而退出电阻区，Vces上升，二极管D2截止，A点对电容C1的箝位作用消失；C点电位从9V上升，同时Z1反向击穿，V2导通，V1截止，B点电位由R1和Rc以及IXDN404芯片内阻分压决定，箝位在15V，栅压降为10V。栅压的下降可有效地抑制故障电流并增加短路允许时间。降栅压运行时间为 t2=τ1ln
=1.09μs（2） 如果在这段时间内，电路恢复正常，D2导通，A点继续箝位，V2截止，V1导通，电路恢复2.1所说状态。如果D2仍处于断态，也就是故障电流仍然存在，C点电压继续上升，经过t2时间上升到13V，Z2反向击穿，V3导通，电容C2通过电阻R12放电，D点与B点电位同时下降，IGBT栅压逐渐下降，实现慢关断过程，避免了正常关断大电流时所引起的过电压。慢关断过程时间为t3，由C2和R12决定。由IXDN404工作电压范围为4.5～25V，τ2=R12×C2=4.84μs，可知 t3=τ2ln
=5.83μs（3） 另外，在IGBT开通过程中，如果二极管D2不能及时导通，将造成保护电路的误动作，因此D2要选择快速二极管，也可通过适当增加Z1稳压值和增大电阻R9以增大C1充电时间常数延长保护电路动作时间。但这与保护动作的快速性相矛盾，具体应用时要根据实际电路要求和功率器件的特性作出折中的选择。 2.4 几点说明 1）为使驱动功率达到最大，本电路将两路输入输出并联使用，最大驱动峰值电流可达8A，这个峰值电流是由电容Cc瞬间放电产生； 2）光耦6N137输出为输入反相，IXDN404为同相输入输出，为保证控制逻辑正确，中间需加一级反相器，也可采用带反相的IXDI404； 3）图2中可在E点处加入一个光耦，其输出可作为短路保护信号送给控制逻辑，以封锁本路及其它各路的PWM信号，确保主电路安全； 4）IXDN404驱动电路对脉冲信号非常敏感，实际操作时要保证连线尽量短，输出要用双绞线接IGBT，电路所用元器件也可采用贴片式，既缩小驱动电路体积，也提高了工作稳定度。 图3为实测IGBT的门极驱动信号，其中通道1为输入控制信号，通道2为输出驱动信号。所用IGBT为仙童公司HGTG18N120BND。从图中可以看出驱动电路延迟时间仅为100ns。其中图3（d）为模拟IGBT过流时的保护波形，首先降栅压运行，然后慢关断，最后由于低电压供电，IXDN404输出驱动电压封锁在－2V左右。 
（a）100kHz时的驱动波形 
（b）100kHz时的上升过程 
（d）20kHz时保护波形 图3 电路实测驱动波形 3 结语 由IXDN404组成的IGBT驱动与保护电路可满足IGBT驱动要求，其特点可归纳如下： ——驱动电源＋20V单路供电，驱动栅压＋15V～－5V； ——最大驱动峰值电流可达8A，满足大功率IGBT驱动要求； ——电路信号延迟时间短，工作频率可以达到100kHz或者更高，可适应大多数电路需要； ——可实现过流保护及降栅压慢关断功能； ——电路成本相对较低。 综上所述，这种驱动保护电路是一种低成本、高性能的IGBT驱动电路。 作者简介 朱选才（1980－），男，硕士研究生，主要研究方向为高功率密度电源。 周惠升（1978－），男，博士研究生，主要研究方向为复合材料飞轮储能。